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In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究

丁训民 董国胜 杨曙 陈平 王迅

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In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究

丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅

AN ELECTRON SPECTROSCOPY STUDY OF THE In/GaAs (111) INTERFACE FORMATION PROCESS

DING XUN-MIN, DONG GUO-SHENG, YANG SHU, CHEN PING, WANG XUN
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-04-17
  • 刊出日期:  2005-03-28

In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。

English Abstract

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