搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

辐照材料的肿胀理论(Ⅱ)——偏吸率与肿胀公式

朱慧珑

引用本文:
Citation:

辐照材料的肿胀理论(Ⅱ)——偏吸率与肿胀公式

朱慧珑

A THEORY OF SWELLING DUE TO VOID GROWTH IN IRRADIATED MATERIALS (Ⅱ)——BIAS FACTOR AND SWELLING FORMULA

ZHU HUI-LONG
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4660
  • PDF下载量:  597
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1988-12-07
  • 刊出日期:  2005-07-08

辐照材料的肿胀理论(Ⅱ)——偏吸率与肿胀公式

  • 1. 北京师范大学低能核物理研究所
    基金项目: 国家教委博士点基金

摘要: 本文用分区的方法,得到了在同时计及位错应力场和辐照效应的情况下,位错周围点缺陷分布函数的零级、一级和二级近似解,进而得到了偏吸率。利用所得的偏吸率及文献[1]的结果,给出了新的肿胀公式。新公式优于前人的理论,不仅理论本身自洽,而且与实验符合较好。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回