[1] |
邓文娟, 朱斌, 王壮飞, 彭新村, 邹继军. 变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性. 物理学报,
2022, 71(15): 157901.
doi: 10.7498/aps.71.20220244
|
[2] |
胡兴雷, 孙雅洲, 梁迎春, 陈家轩. 单晶硅微纳构件加工表面性能的时变性研究. 物理学报,
2013, 62(22): 220704.
doi: 10.7498/aps.62.220704
|
[3] |
王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析. 物理学报,
2013, 62(20): 207303.
doi: 10.7498/aps.62.207303
|
[4] |
程正富, 龙晓霞, 郑瑞伦. 非简谐振动对纳米金刚石表面性质的影响. 物理学报,
2012, 61(10): 106501.
doi: 10.7498/aps.61.106501
|
[5] |
舒瑜, 张研, 张建民. Cu 表面性质的第一性原理分析. 物理学报,
2012, 61(1): 016108.
doi: 10.7498/aps.61.016108
|
[6] |
叶显, 黄辉, 任晓敏, 郭经纬, 黄永清, 王琦, 张霞. InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究. 物理学报,
2011, 60(3): 036103.
doi: 10.7498/aps.60.036103
|
[7] |
李维峰, 梁迎新, 金勇, 魏建华. AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析. 物理学报,
2010, 59(12): 8850-8855.
doi: 10.7498/aps.59.8850
|
[8] |
罗文华, 蒙大桥, 李 赣, 陈虎翅. CO在Pu(100)表面吸附的研究. 物理学报,
2008, 57(1): 160-164.
doi: 10.7498/aps.57.160
|
[9] |
肖 冰, 冯 晶, 陈敬超, 严继康, 甘国友. 金红石型TiO2(110)表面性质及STM形貌模拟. 物理学报,
2008, 57(6): 3769-3774.
doi: 10.7498/aps.57.3769
|
[10] |
王传道. GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构. 物理学报,
2008, 57(2): 1091-1096.
doi: 10.7498/aps.57.1091
|
[11] |
郑泽伟, 沈 波, 桂永胜, 仇志军, 唐 宁, 蒋春萍, 张 荣, 施 毅, 郑有炓, 郭少令, 褚君浩. AlxGa1-x N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究. 物理学报,
2004, 53(2): 596-600.
doi: 10.7498/aps.53.596
|
[12] |
缪中林, 陈平平, 陆卫, 徐文兰, 李志锋, 蔡玮颖. GaAs/Al1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究. 物理学报,
2001, 50(1): 111-115.
doi: 10.7498/aps.50.111
|
[13] |
李娜, 袁先漳, 李宁, 陆卫, 李志峰, 窦红飞, 沈学础, 金莉, 李宏伟, 周均铭, 黄绮. GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析. 物理学报,
2000, 49(4): 797-801.
doi: 10.7498/aps.49.797
|
[14] |
班大雁, 方容川, 李永平, 张海峰. ZnSe(100)极性表面电子结构研究. 物理学报,
1997, 46(4): 767-774.
doi: 10.7498/aps.46.767
|
[15] |
程文芹, 蔡丽红, 谢小刚, 王文新, 胡强, 周钧铭. AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱. 物理学报,
1996, 45(2): 304-306.
doi: 10.7498/aps.45.304
|
[16] |
陈维德, 崔玉德. AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定. 物理学报,
1994, 43(4): 673-677.
doi: 10.7498/aps.43.673
|
[17] |
韦亚一, 沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元, 彭正夫, 张允强. Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究. 物理学报,
1994, 43(2): 282-288.
doi: 10.7498/aps.43.282
|
[18] |
潘少华, 陈正豪, 冯思民, 崔大复, 杨国桢. GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究. 物理学报,
1990, 39(12): 2011-2018.
doi: 10.7498/aps.39.2011
|
[19] |
钟战天, 邢益荣, 涂相征. AlxGa1-xP固溶体XPS和AES研究. 物理学报,
1985, 34(10): 1363-1367.
doi: 10.7498/aps.34.1363
|
[20] |
徐亚伯, 董国胜, 丁训民, 杨曙, 王迅. GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究. 物理学报,
1983, 32(10): 1339-1343.
doi: 10.7498/aps.32.1339
|