搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

吴正云 黄启圣

引用本文:
Citation:

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

吴正云, 黄启圣

Wu Zheng-Yun, Huang Qi-Sheng
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4812
  • PDF下载量:  473
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1994-08-30
  • 刊出日期:  1995-09-20

形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

  • 1. 厦门大学物理系,厦门361005

摘要: 用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回