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正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

董正超

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正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

董正超

IMPURITIES AND INTERFACE SCATTERING EFFECT ON THE DIFFERENTIAL CONDUCTANCE NORMAL METAL-d-WAVE SUPERCONDUCTOR JUNCTIONS

DONG ZHENG-CHAO
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-06-29
  • 修回日期:  1998-11-02
  • 刊出日期:  1999-05-20

正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

  • 1. 淮阴师范学院物理系,淮阴 223001
    基金项目: 江苏省教委自然科学基金(批准号:JW970141)资助的课题.

摘要: 考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导.计算发现:隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰.这些结果都将很好地解释高Tc超导隧道谱的实验现象.

English Abstract

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