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MgS晶体结构性质的密度泛函研究

陈中钧 肖海燕 祖小涛

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MgS晶体结构性质的密度泛函研究

陈中钧, 肖海燕, 祖小涛

Density functional theory investigation on structural properties of MgS crystal

Chen Zhong-Jun, Xiao Hai-Yan, Zu Xiao-Tao
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-03-09
  • 修回日期:  2005-04-11
  • 刊出日期:  2005-11-20

MgS晶体结构性质的密度泛函研究

  • 1. (1)电子科技大学应用物理系,成都 610054; (2)电子科技大学应用物理系,成都 610054;中国科学院国际材料物理中心,沈阳 110016
    基金项目: 国家自然科学基金(10376006)和新世纪优秀人才支持计划资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS 晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.

English Abstract

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