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有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

梁 双 吕燕伍

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有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

梁 双, 吕燕伍

The calculation of electronic structure in GaN/AlN quantum dots with finite element method

Liang Shuang, Lü Yan-Wu
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-04
  • 修回日期:  2006-09-20
  • 刊出日期:  2007-07-11

有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

  • 1. 北京交通大学理学院,北京 100044
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60376014)资助的课题.

摘要: 根据有效质量理论单带模型,采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AlN量子点结构中的电子结构,分析了应变和极化对电子结构的影响,计算了不同尺寸的量子点的能级,分析了量子点的大小对电子能级的影响. 结果表明,形变势和压电势提升了电子能级,而且使简并能级分裂. 随着量子点尺寸的增大,量子限制能减小,而压电势能起到更显著的作用,使电子的能级降低,吸收峰发生红移.

English Abstract

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