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圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

张雪 王勇 范俊杰 张瑞

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圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

张雪, 王勇, 范俊杰, 张瑞

Numerical simulation of multipactor phenomenon on the surface of cylinder window disk

Zhang Xue, Wang Yong, Fan Jun-Jie, Zhang Rui
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  • 基于Monte Carlo模拟算法, 建立了粒子输运模型, 通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真, 获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律. 结果表明: 在微波输入端, 指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用, 在电场强度较高的区域倍增剧烈, 有质动力对倍增无贡献; 在微波输出端, 受背离窗片表面磁场力的影响, 在表面静电场较弱的情况下, 次级电子倍增不能发生; 当表面静电场足以维持单面倍增的发生, 随着传输功率的增大, 电子渡越时间增长, 有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域. 对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证.
    A particle model that is based on Monte Carlo particle simulation arithmetic is built up to investigate the multipactor behavior on the surface of cylinder window disk in pill-box window. The regime of multipactor in the inhomogeneous electric field is obtained. The simulation results prove that the interaction between secondary electrons and window disk is sustained by magnetic field force on the upstream side. The multipactor phenomenon acts intensively in the area with a great electric field. The ponderomotive force does not devote any effort to multipactor on the upstream side. On the downstream side, the multipactor cannot be excited without strong enough surface electrostatic field because of the positive magnetic field force. With the increase of transmitting power, secondary electrons can obtain more energies. Due to the effect of ponderomotive force, the multipactor region transfers from the area with powerful electric field to the weak one on the downstream side. Besides, the resistance effect of electrostatic isolation on multipactor is also confirmed in the input port of cylinder waveguide.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2013CB328901).
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-04-15
  • 修回日期:  2014-07-15
  • 刊出日期:  2014-11-05

圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

  • 1. 中国科学院电子学研究所, 高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100190;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
    基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.

摘要: 基于Monte Carlo模拟算法, 建立了粒子输运模型, 通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真, 获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律. 结果表明: 在微波输入端, 指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用, 在电场强度较高的区域倍增剧烈, 有质动力对倍增无贡献; 在微波输出端, 受背离窗片表面磁场力的影响, 在表面静电场较弱的情况下, 次级电子倍增不能发生; 当表面静电场足以维持单面倍增的发生, 随着传输功率的增大, 电子渡越时间增长, 有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域. 对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证.

English Abstract

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