搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InP HEMT外延结构材料抗电子辐照加固设计研究

周书星 方仁风 魏彦锋 陈传亮 曹文彧 张欣 艾立鹍 李豫东 郭旗

引用本文:
Citation:

InP HEMT外延结构材料抗电子辐照加固设计研究

周书星, 方仁风, 魏彦锋, 陈传亮, 曹文彧, 张欣, 艾立鹍, 李豫东, 郭旗

Structure parameters design of InP HEMT epitaxial materials to improve the radiation-hardened ability

PDF
HTML
导出引用
计量
  • 文章访问数:  355
  • PDF下载量:  8
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2021-07-07
  • 上网日期:  2021-10-29

InP HEMT外延结构材料抗电子辐照加固设计研究

  • 1. 湖北文理学院
  • 2. 北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心
  • 3. 中国科学院微系统与信息技术研究所
  • 4. 中国科学院新疆理化技术研究所
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金(11705277)

摘要: 为优化磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料,针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验, 辐照注量为2?1015 cm-2,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特性, 获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与外延结构参数(如Si-δ掺杂浓度、InGaAs 沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数)依赖的关系,结果显示: Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs 沟道厚度较大,沟道In组分较低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗辐照能力.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回