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用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成 王启明 彭怀德 朱龙德 高季林

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用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成, 王启明, 彭怀德, 朱龙德, 高季林

USING MOS STRUCTURE TO STUDY THE DEEP LEVEL OF QUARTERNARY MIXED CRYSTAL In0.75Ga0.25As0.58P0.42

BAO QING-CHENG, WANG QI-MING, PENG HUAI-DE, ZHU LONG-DE, GAO JI-LIN
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-12-29
  • 修回日期:  1982-08-31
  • 刊出日期:  2005-07-21

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院半导体研究所,研究生中国科学院长春物理研究所

摘要: 采用MOS方法,在液相外延生长的n型In0.75Ga0.25As0.58P0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10-16cm2和3.8×10-12cm2。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。

English Abstract

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