GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

张勇; 余畸; 郑健生; 颜炳章; 吴伯僖; 李国华; 汪兆平; 韩和相

doi:10.7498/aps.37.1925

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GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

张勇 , 余畸 , 郑健生 , 颜炳章 , 吴伯僖 , 李国华 , 汪兆平 , 韩和相

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GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

张勇, 余畸, 郑健生, 颜炳章, 吴伯僖, 李国华, 汪兆平, 韩和相

物理学报, 1988, 37(12): 1925-1931.

doi: 10.7498/aps.37.1925

PRESSURE BEHAVIOR OF BOUND EXCITONS IN GaAs1-xPx :N

ZHANG YONG, YU QI, ZHENG JIAN-SHENG, YAN BING-ZHANG, WU BO-XI, LI GUO-HUA, WANG ZHAO-PING, HAN HE-XIANG

Acta Phys. Sin., 1988, 37(12): 1925-1931.

doi: 10.7498/aps.37.1925

摘要

本文研究了77K温度下GaAs0.15P0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN1的发光。同时,观察到压力下Nx带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了Nx→NN1的热助能量转移过程。对Nx能级和NN1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。
Abstract
The photoluminescence of GaAs0.15P0.85: N has been investigated under hydrostatic pressure at 77 K. The NN1 emission is clearly seen when P>10kbar. Meanwhile, luminescence quenching and band narrowing of Nx line have been observed under pressure. The results show that the pressure effectively enhances the Nx→NN1 thermally assisted exciton transfer processes. The pressure behaviors of Nx and NN1 levels have been analysed and fitted to a theoretical model. The pressure coefficients of the levels and some parameters related to their wavefunctions have been determined by fitting calculations.
作者及机构信息
张勇¹,

余畸¹,

郑健生¹,

颜炳章¹,

吴伯僖¹,

李国华²,

汪兆平²,

韩和相²

(1)厦门大学物理学系; (2)中国科学院半导体研究所

基金项目: 国家自然科学基金
Authors and contacts
ZHANG YONG¹,

YU QI¹,

ZHENG JIAN-SHENG¹,

YAN BING-ZHANG¹,

WU BO-XI¹,

LI GUO-HUA²,

WANG ZHAO-PING²,

HAN HE-XIANG²

(1)厦门大学物理学系; (2)中国科学院半导体研究所
参考文献

施引文献

[1]	黄君辉, 李元和, 王健, 李叔伦, 倪海桥, 牛智川, 窦秀明, 孙宝权. 静水压力调谐Ag纳米颗粒散射场下量子点激子寿命. 物理学报, 2022, 71(24): 247302. doi: 10.7498/aps.71.20221344
[2]	杨旭云, 陈永聪, 芦文斌, 朱晓梅, 敖平. 激子极化子共振束缚介导的光合作用能量传输. 物理学报, 2022, 71(23): 234202. doi: 10.7498/aps.71.20221412
[3]	柳福提, 张淑华, 程艳, 陈向荣, 程晓洪. (GaAs)n(n=1-4)原子链电子输运性质的理论计算. 物理学报, 2016, 65(10): 106201. doi: 10.7498/aps.65.106201
[4]	胡恒恺, 王开, 杨光, 刘茜, 裴文江, 仇慎伟, 蔚承建, 张毅锋. 基于交通流量的病毒爆发动力行为研究. 物理学报, 2012, 61(20): 200209. doi: 10.7498/aps.61.200209
[5]	熊稳, 赵铧. ZnO薄膜的激子能量和束缚能的计算. 物理学报, 2007, 56(2): 1061-1065. doi: 10.7498/aps.56.1061
[6]	张红, 刘磊, 刘建军. 对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能. 物理学报, 2007, 56(1): 487-490. doi: 10.7498/aps.56.487
[7]	闫海青, 唐　晨, 张　皞, 刘　铭, 张桂敏. 半导体束缚激子基态能的变尺度法. 物理学报, 2004, 53(11): 3877-3881. doi: 10.7498/aps.53.3877
[8]	陈敦军, 沈波, 张开骁, 邓咏桢, 范杰, 张荣, 施毅, 郑有炓. GaN1-xPx薄膜的结构特性研究. 物理学报, 2003, 52(7): 1788-1791. doi: 10.7498/aps.52.1788
[9]	江国健, 张擎雪, 庄汉锐, 李文兰, 李懋滋. TiC和AlN材料制备中的重力行为研究(Ⅲ). 物理学报, 2000, 49(12): 2502-2506. doi: 10.7498/aps.49.2502
[10]	江国健, 张擎雪, 庄汉锐, 李文兰, 李懋滋. TiC和AlN材料制备中的重力行为研究(Ⅱ). 物理学报, 2000, 49(12): 2498-2501. doi: 10.7498/aps.49.2498
[11]	江国健, 张擎雪, 庄汉锐, 李文兰, 李懋滋. TiC和AlN材料制备中的重力行为研究(Ⅰ). 物理学报, 2000, 49(12): 2494-2497. doi: 10.7498/aps.49.2494
[12]	傅柔励, 叶红娟, 李蕾, 傅荣堂, 缪健, 孙鑫, 张志林. 电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化. 物理学报, 1998, 47(1): 94-101. doi: 10.7498/aps.47.94
[13]	张勇, 郑健生, 吴伯僖. GaP和GaAs1-xPx中N束缚激子压力行为的理论计算. 物理学报, 1991, 40(8): 1329-1338. doi: 10.7498/aps.40.1329
[14]	袁皓心, 李齐光, 姜山, 陆卫, 童斐明, 汤定元. Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究. 物理学报, 1990, 39(3): 464-471. doi: 10.7498/aps.39.464
[15]	朱嘉麟, 唐道华, 熊家炯, 顾秉林. 电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子. 物理学报, 1989, 38(3): 385-393. doi: 10.7498/aps.38.385
[16]	顾一鸣, 黄明竹, 汪克林. GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质的电子结构. 物理学报, 1988, 37(1): 11-19. doi: 10.7498/aps.37.11
[17]	徐俊英, 陈良惠, 弓继书, 徐仲英, 庄蔚华, 李玉璋, 许继宗, 吴灵犀. 1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱. 物理学报, 1984, 33(6): 833-839. doi: 10.7498/aps.33.833
[18]	徐永年, 张开明. GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究. 物理学报, 1983, 32(2): 247-250. doi: 10.7498/aps.32.247
[19]	徐永年. GaAs(110)面的紧束缚计算. 物理学报, 1981, 30(10): 1400-1405. doi: 10.7498/aps.30.1400
[20]	张幼文, 郁启华. 用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As_1-xP_x]合金). 物理学报, 1965, 21(6): 1162-1169. doi: 10.7498/aps.21.1162

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物理学报. 1988, 37(12): 1925-1931.

doi: 10.7498/aps.37.1925.

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

1. (1)厦门大学物理学系; (2)中国科学院半导体研究所

基金项目: 国家自然科学基金

收稿日期: 1988-02-08
刊出日期: 1988-06-05

摘要: 本文研究了77K温度下GaAs0.15P0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN1的发光。同时,观察到压力下Nx带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了Nx→NN1的热助能量转移过程。对Nx能级和NN1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。

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