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稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

傅春寅 鲁永令 曾树荣

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稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣

INTRODUCTION OF Ce INTO Si AND THE DIFFUSION COEFFICIENT OF Ce IN Si

FU CHUN-YIN, LU YONG-LING, ZENG SHU-RONG
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-12-14
  • 刊出日期:  2005-07-08

稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

  • 1. 北京大学物理系
    基金项目: 第三世界科学院基金

摘要: 利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。

English Abstract

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