搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

申三国 范希庆

引用本文:
Citation:

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

申三国, 范希庆

ELECTRONIC STRUCTURE OF JAHN-TELLER DISTORTED PHOSPOROUS-VACANCY COMPLEX IN SILICON

SHEN SAN-GUO, FAN XI-QING
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3967
  • PDF下载量:  677
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1989-12-25
  • 刊出日期:  1990-05-05

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

  • 1. 郑州大学物理系,郑州,450052
    基金项目: 河南省基础及应用科学研究所和河南省科学技术委员会的资助

摘要: 本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回