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非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC 功率MOSFET失效机理研究

郭建飞 李浩 王梓名 钟鸣浩 常帅军 欧树基 马海伦 刘莉

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非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC 功率MOSFET失效机理研究

郭建飞, 李浩, 王梓名, 钟鸣浩, 常帅军, 欧树基, 马海伦, 刘莉

Failure mechanism of double-trench (DT) 4H-SiC power MOSFET under unclamped inductive switch test

Guo Jian-Fei, Li Hao, Wang Zi-Ming, Zhong Ming-Hao, Chang Shuai-Jun, Ou Shu-Ji, Ma Hai-Lun, Liu Li
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出版历程
  • 收稿日期:  2022-01-13
  • 修回日期:  2022-02-17
  • 上网日期:  2022-06-24
  • 刊出日期:  2022-07-05

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