Vol. 20, No. 9 (1964)
1964年05月05日
目录
1964, 20 (9): 825-845.
doi: 10.7498/aps.20.825
摘要 +
本文发展了一个讨论磁原胞与化学原胞不一致的磁性晶体的自旋位形的宏观方法。引进一个有限羣,其元素乃是分布于一个磁原胞内的空间羣的元素。该羣的对称元素作用于次晶格的自旋密度上,使热力势保持不变。利用这原理可以建立热力势按次晶格自旋密度的展式。由热力势取极小条件决定磁性晶体的自旋位形。应用这个方法具体地讨论了四类磁性晶体的自旋位形,对每一类情况得到了与中子衍射实验一致的结果。利用本方法在某些情况下,也可以得到螺旋形的自旋位形。
1964, 20 (9): 846-862.
doi: 10.7498/aps.20.846
摘要 +
本文提出了一个处理原子核中nn及pp对力的近似方法。这个方法避免了通常将BCS-Боголюбов方法应用于原子核所引起的困难,例如粒子数不守恒,假态的出现以及不同激发态波函数不正交等。但这个方法只有在所需考虑的粒子数n及能级数Ω不太大时(n≤10,Ω≤10)才能较方便地被应用,近似程度才比较好。在这个方法中,毋须引入准粒子的概念,激发的多体性质被明显地表示出来。系统的激发可分为两大类型。第一类型激发是一种以多体系为背景的单粒子跃迁,相应于一个准粒子的跃迁αv+αv,或两个准粒子的激发αv+βv′+,αv+αv′+(v≠v′)。第二类型激发是对激发,在这种激发中,各能级上共轭粒子对的填充几率改变了,相应于共轭的准粒子对的激发αv+βv+,αv+βv+αμ+βμ+,….本文还考察了对力在r及β跃迁中的影响。在β跃迁中,对力一般是使跃迁受阻。在r跃迁中,对力的效应随初末态间的相对激发类型不同而异,如相对激发属于第一类型,则跃迁受阻,受阻程度随跃迁的电磁性质不同而有所差别,如相对跃迁属于第二类型,则在无对力作用时跃迁是禁戒的,在对力作用下也只有由电荷电流所产生的电跃迁是允许的。最后本文以Hf178为例,应用上述方法,初步分析了对力对偶偶核的内部激发能谱及β衰变的影响。
1964, 20 (9): 863-872.
doi: 10.7498/aps.20.863
摘要 +
当位势V(z)在原点有高于二阶的极点时(在右半平面V(z)解析,当z→∞时z2V→0),证明了(1)S矩阵元为λ(λ=ι+1/2,ι是角动量)的半纯函数;(2)当λ在右半平面|argλ|<π/2内趋于无穷大时,|S-1|≤C((log|λ|)/|λ|)。
1964, 20 (9): 873-889.
doi: 10.7498/aps.20.873
摘要 +
本文研究了在接近转变温度Tc的区域内,超导薄膜在磁场中的性质。磁场是沿着超导膜的表面。在文章中,首先对Γорьков理论进行了分析,指出这个理论实际上是采用了局域近似,这个近似主要是隐含在他所采用的磁场中电子Green函数Gω0(rr′)的表示式中。作者指出,Γорьков所采用的Gω0(rr′)表示式对于本文研究的问题是不适用的,本文采用Gω0(rr′)按矢势的微扰展开式。本文把Γорьков的补偿方程和电流方程推广到超导膜。对于d0(T)的膜,求出了这二个方程的解,得到超导薄膜的矢势、磁矩、能隙和临界电流的表达式,并研究了超导薄膜在磁场中的相变问题,求得超导薄膜的临界磁场。本文所得到的结果,对比较厚的膜(d?ξ0)和ГЛ理论一致,而对比较薄的膜(d0)和ГЛ理论有着显著不同(除了临界电流和超导膜在磁场中相变级数的判据外),二者的差异特别是表现在对厚度依赖关系上。由于本文所采用的近似,所得到的结果适用于δ0(T)>d?d*情形,其中2d*=(1/(0.36)×ξ0/p0)1/2,对于Sn,2d*～10-6cm。
1964, 20 (9): 890-908.
doi: 10.7498/aps.20.890
摘要 +
本文研究了金属极性模型理论中立方铁磁体的d电子之间各向异性相互作用的可能形式,并根据Dyson的自旋波相互作用理论用统计微扰论的方法计算了它们对磁各向异性常数K1(T)的贡献。计算进行到T4的项,在计算中保留到各向异性作用常数的一次方。所得到的K1(T)的温度依赖关系,在理论适用的温度范围内,基本上正比于自发磁化强度的10次方。
1964, 20 (9): 909-918.
doi: 10.7498/aps.20.909
摘要 +
用扭摆法测量了含锰18.5％的铁锰合金的内耗,在正和反马氏体型相变温度范围内都观察到一个稳定的内耗峯。在降温时,正马氏体型相变区域内的内耗峯出现在100℃左右;在重新加热时,反马氏体型相变区域内的内耗峯出现在200℃左右。对于这两个变为稳定以后的内耗峯进行了系统的研究,它们的共同特征是:1.内耗峯的位置与测量内耗所用的振动频率无关;2.稳定内耗峯的高度,随着测量内耗所用的应变振幅的增大而显著地升高;3.随着对于试样的加热和冷却循环次数的增加,内耗峯的位置离相变开始点的温度越远,而且内耗峯的高度也下降。从以上的特点可以看出,内耗峯的位置与频率无关表示产生内耗的基本过程不是受热激活所控制的。此外,内耗与振幅有关这一现象进一步指出,产生内耗的机构不是一种滞弹性效应。电子衍衬金相观测已经指出,作为扩展位错的组成部分的堆垜层错可以作为马氏体型相变的核,因此,这种内耗现象可能是由于扩展位错的应力感生加宽和收缩所引起的。这种模型可以统一地解释在铁锰合金中所观察到的各种内耗现象。
1964, 20 (9): 919-927.
doi: 10.7498/aps.20.919
摘要 +
本文提供测量隧道二极管伏安曲线二次微商与直流偏压关系的谐波分析法。着重讨论测量原理,电路设计和误差对结果的各种影响。同时,指出进行这项工作对隧道二极管应用和它的物理性质研究的意义。文中介绍了典型测量结果。并对隧道二极管作低电平检波器应用的价值作了一些定量的讨论。
