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ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

赵小龙 康雪 陈亮 张忠兵 刘金良 欧阳晓平 彭文博 贺永宁

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ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

赵小龙, 康雪, 陈亮, 张忠兵, 刘金良, 欧阳晓平, 彭文博, 贺永宁

Study of ZnO photoconductive X-ray detector

Zhao Xiao-Long, Kang Xue, Chen Liang, Zhang Zhong-Bing, Liu Jin-Liang, Ouyang Xiao-ping, Peng Wen-Bo, He Yong-Ning
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  • 本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性. 薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12 μupC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17 μC/Gy. 器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度. 本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.
    Ag-ZnO-Ag X-ray detectors based on ZnO film and nanowires are both fabricated in this paper. Results of continuous X-ray radiation measurement show that the two detectors have high responsivity: the responsivity of the ZnO film device is about 0.12 μC/Gy under a 100 V bias voltage, and that of the ZnO nanowires device is about 0.15 μC/Gy under a 50 V bias voltage. Surface effect due to the absorption and desorption of oxygen on the ZnO surface, which makes the carrier lifetime increase, is decisive to the high responsivity. ZnO film and nanowires have their potential applications in the X-ray dose rate measurement.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60876038,11375144)和“ZnO半导体纳米结构核辐射探测机理研究”,西安交通大学基本科研业务费学科综合交叉科研项目资助的课题.
    • Funds: Project Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60876038, 11375144), and the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China in project of Investigation of ZnO Nanostructure Based Scintillators.
    [1]

    McGregor D S, Hermon H 1997 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res., Section A 395 101

    [2]

    Owens A, Peacock A 2004 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res., Section A 531 18

    [3]

    Metzger S, Henschel H, Kohn O, Lennartz W 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 1351

    [4]

    Zhang L, Xiao J, Qiu Y Z, Cheng H L 2011 Acta Phys. Sin. 60 056106 (in Chinese) [张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮 2011 物理学报 60 056106]

    [5]

    Vaitkus J, Cunningham W, Gaubas E, Rahman M, Sakai S, Smith K M, Wang T 2003 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. Section A 509 60

    [6]

    Kania D R, Landstrass M I, Plano M A, Pan L S, Han S 1993 Diamond Relat. Mater. 2 1012

    [7]

    Ouyang X P, Wang L, Fan R Y, Zhang Z B, Wang W, L F X, Tang W Z, Chen G C 2006 Acta Phys. Sin. 55 2170 (in Chinese) [欧阳晓平, 王兰, 范如玉, 张忠兵, 王伟, 吕反修, 唐伟忠, 陈广超 2006 物理学报 55 2170]

    [8]

    Shen D Z, Mei Z X, Liang H L, Du X L, Ye J D, Gu S L, Wu Y X, Xu C X, Zhu G Y, Dai J, Chen M M, Ji X, Tang Z K, Shan C X, Zhang B L, Du G T, Zhang Z Z 2014 Acta Optica Sinica 35 1 (in Chinese) [申德振, 梅增霞, 梁会力, 杜小龙, 叶建东, 顾书林, 吴玉喜, 徐春祥, 朱刚毅, 戴俊, 陈明明, 季旭, 汤子康, 单崇新, 张宝林, 杜国同, 张振中 2014 发光学报 35 1]

    [9]

    Pan Y W, Ren S T, Qu S L, Wang Q 2013 Chin. Phys. B 22 118102

    [10]

    Liu K, Sakurai M, Aono M 2010 Sensors 10 8604

    [11]

    Klingshirn C 2007 Chem. Phys. Chem. 8 782

    [12]

    Zhang B, Li M, Wang J Z, Shi L Q 2013 Chin. Phys. Lett. 30 027303

    [13]

    Wang X H, Li R B, Fan D H 2013 Chin. Phys. Lett. 30 037202

    [14]

    Endo H, Chiba T, Meguro K, Takahashi K, Fujisawa M, Sugimura S, Narita S, Kashiwaba Sato Y, E 2011 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. Section A 665 15

    [15]

    Gao X, Kang Q S, Yeow J T W, Barnett R 2010 Nanotechnology 21 285502

    [16]

    He Y, Zhang W, Zhang S, Kang X, Peng W, Xu Y 2012 Sens. Actuators, A 181 6

    [17]

    Lampert, M A 1964 Rep. Progr. Phys. 27 329

  • [1]

    McGregor D S, Hermon H 1997 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res., Section A 395 101

    [2]

    Owens A, Peacock A 2004 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res., Section A 531 18

    [3]

    Metzger S, Henschel H, Kohn O, Lennartz W 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 1351

    [4]

    Zhang L, Xiao J, Qiu Y Z, Cheng H L 2011 Acta Phys. Sin. 60 056106 (in Chinese) [张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮 2011 物理学报 60 056106]

    [5]

    Vaitkus J, Cunningham W, Gaubas E, Rahman M, Sakai S, Smith K M, Wang T 2003 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. Section A 509 60

    [6]

    Kania D R, Landstrass M I, Plano M A, Pan L S, Han S 1993 Diamond Relat. Mater. 2 1012

    [7]

    Ouyang X P, Wang L, Fan R Y, Zhang Z B, Wang W, L F X, Tang W Z, Chen G C 2006 Acta Phys. Sin. 55 2170 (in Chinese) [欧阳晓平, 王兰, 范如玉, 张忠兵, 王伟, 吕反修, 唐伟忠, 陈广超 2006 物理学报 55 2170]

    [8]

    Shen D Z, Mei Z X, Liang H L, Du X L, Ye J D, Gu S L, Wu Y X, Xu C X, Zhu G Y, Dai J, Chen M M, Ji X, Tang Z K, Shan C X, Zhang B L, Du G T, Zhang Z Z 2014 Acta Optica Sinica 35 1 (in Chinese) [申德振, 梅增霞, 梁会力, 杜小龙, 叶建东, 顾书林, 吴玉喜, 徐春祥, 朱刚毅, 戴俊, 陈明明, 季旭, 汤子康, 单崇新, 张宝林, 杜国同, 张振中 2014 发光学报 35 1]

    [9]

    Pan Y W, Ren S T, Qu S L, Wang Q 2013 Chin. Phys. B 22 118102

    [10]

    Liu K, Sakurai M, Aono M 2010 Sensors 10 8604

    [11]

    Klingshirn C 2007 Chem. Phys. Chem. 8 782

    [12]

    Zhang B, Li M, Wang J Z, Shi L Q 2013 Chin. Phys. Lett. 30 027303

    [13]

    Wang X H, Li R B, Fan D H 2013 Chin. Phys. Lett. 30 037202

    [14]

    Endo H, Chiba T, Meguro K, Takahashi K, Fujisawa M, Sugimura S, Narita S, Kashiwaba Sato Y, E 2011 Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. Section A 665 15

    [15]

    Gao X, Kang Q S, Yeow J T W, Barnett R 2010 Nanotechnology 21 285502

    [16]

    He Y, Zhang W, Zhang S, Kang X, Peng W, Xu Y 2012 Sens. Actuators, A 181 6

    [17]

    Lampert, M A 1964 Rep. Progr. Phys. 27 329

  • [1] 裴佳楠, 蒋大勇, 田春光, 郭泽萱, 刘如胜, 孙龙, 秦杰明, 侯建华, 赵建勋, 梁庆成, 高尚. 包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响. 物理学报, 2015, 64(6): 067802. doi: 10.7498/aps.64.067802
    [2] 景蔚萱, 王兵, 牛玲玲, 齐含, 蒋庄德, 陈路加, 周帆. ZnO纳米线薄膜的合成参数、表面形貌和接触角关系研究. 物理学报, 2013, 62(21): 218102. doi: 10.7498/aps.62.218102
    [3] 宋志明, 赵东旭, 郭振, 李炳辉, 张振中, 申德振. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究. 物理学报, 2012, 61(5): 052901. doi: 10.7498/aps.61.052901
    [4] 赵艳, 蒋毅坚. ZnO薄膜的激光辐照效应研究. 物理学报, 2010, 59(4): 2679-2684. doi: 10.7498/aps.59.2679
    [5] 隋成华, 蔡萍根, 陈乃波, 魏高尧, 许晓军, 周红. 蓝宝石光纤端面上ZnO薄膜的制备及其温变光学特性. 物理学报, 2009, 58(4): 2792-2796. doi: 10.7498/aps.58.2792
    [6] 高立, 张建民. 带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备. 物理学报, 2009, 58(10): 7199-7203. doi: 10.7498/aps.58.7199
    [7] 刘 明, 刘志文, 谷建峰, 秦福文, 马春雨, 张庆瑜. 蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响. 物理学报, 2008, 57(2): 1133-1140. doi: 10.7498/aps.57.1133
    [8] 张 威, 李梦轲, 魏 强, 曹 璐, 杨 志, 乔双双. ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究. 物理学报, 2008, 57(9): 5887-5892. doi: 10.7498/aps.57.5887
    [9] 王艳新, 张琦锋, 孙 晖, 常艳玲, 吴锦雷. ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究. 物理学报, 2008, 57(2): 1141-1144. doi: 10.7498/aps.57.1141
    [10] 谷建峰, 刘志文, 刘 明, 付伟佳, 马春雨, 张庆瑜. Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法. 物理学报, 2007, 56(4): 2369-2376. doi: 10.7498/aps.56.2369
    [11] 陈新亮, 薛俊明, 张德坤, 孙 建, 任慧志, 赵 颖, 耿新华. 衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响. 物理学报, 2007, 56(3): 1563-1567. doi: 10.7498/aps.56.1563
    [12] 谷建峰, 付伟佳, 刘 明, 刘志文, 马春雨, 张庆瑜. 电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析. 物理学报, 2007, 56(10): 5979-5985. doi: 10.7498/aps.56.5979
    [13] 刘志文, 谷建峰, 孙成伟, 张庆瑜. 磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究. 物理学报, 2006, 55(4): 1965-1973. doi: 10.7498/aps.55.1965
    [14] 孙成伟, 刘志文, 秦福文, 张庆瑜, 刘 琨, 吴世法. 生长温度对磁控溅射ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响. 物理学报, 2006, 55(3): 1390-1397. doi: 10.7498/aps.55.1390
    [15] 刘志文, 谷建峰, 付伟佳, 孙成伟, 李 勇, 张庆瑜. 工作气压对磁控溅射ZnO薄膜结晶特性及生长行为的影响. 物理学报, 2006, 55(10): 5479-5486. doi: 10.7498/aps.55.5479
    [16] 孙成伟, 刘志文, 张庆瑜. 退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响. 物理学报, 2006, 55(1): 430-436. doi: 10.7498/aps.55.430
    [17] 赵跃智, 陈长乐, 高国棉, 杨晓光, 袁 孝, 宋宙模. Mn掺杂ZnO薄膜的结构及光学性能研究. 物理学报, 2006, 55(6): 3132-3135. doi: 10.7498/aps.55.3132
    [18] 孙贤开, 林碧霞, 朱俊杰, 张 杨, 傅竹西. LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响. 物理学报, 2005, 54(6): 2899-2903. doi: 10.7498/aps.54.2899
    [19] 张德恒, 王卿璞, 薛忠营. 不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光. 物理学报, 2003, 52(6): 1484-1487. doi: 10.7498/aps.52.1484
    [20] 林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红. 非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心. 物理学报, 2001, 50(11): 2208-2211. doi: 10.7498/aps.50.2208
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-15
  • 修回日期:  2014-01-17
  • 刊出日期:  2014-05-05

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