使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5724-5729
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘
北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所清洁能源实验室,北京 100190
Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers
Ding Guo-Jian, Guo Li-Wei, Xing Zhi-Gang, Chen Yao, Xu Pei-Qiang, Jia Hai-Qiang, Zhou Jun-Ming, Chen Hong
Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

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