掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2013, Vol. 62 Issue (7): 076108     doi:10.7498/aps.62.076108
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响
刘智, 李亚明, 薛春来, 成步文, 王启明
中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
Effect of doping on the photoluminescence of multilayer Ge quantum dots deposited on Si(001) substrate
Liu Zhi, Li Ya-Ming, Xue Chun-Lai, Cheng Bu-Wen, Wang Qi-Ming
State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn