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具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备

王英龙 卢丽芳 闫常瑜 褚立志 周 阳 傅广生 彭英才

具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备

王英龙, 卢丽芳, 闫常瑜, 褚立志, 周 阳, 傅广生, 彭英才
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-14
  • 修回日期:  2005-04-25
  • 刊出日期:  2005-06-05

具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备

  • 1. (1)河北大学电子信息工程学院,保定 071002; (2)河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:E2005000129,500084)资助的课题.

摘要: 采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜. 相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成. 扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构. 相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.

English Abstract

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