内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As二维电子气特性分析
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (20): 207303     doi:10.7498/aps.62.207303
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内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析
王红培1 2, 王广龙1, 喻颖2, 徐应强2, 倪海桥2, 牛智川2, 高凤岐1
1. 军械工程学院, 纳米技术与微系统实验室, 石家庄 050003;
2. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
Properties of δ doped GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG with embedded InAs quantum dots
Wang Hong-Pei1 2, Wang Guang-Long1, Yu Ying2, Xu Ying-Qiang2, Ni Hai-Qiao2, Niu Zhi-Chuan2, Gao Feng-Qi1
1. Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003, China;
2. National Laboratory for Superlattics and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

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