应变Si NMOSFET漏电流解析模型
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (23): 237103     doi:10.7498/aps.62.237103
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应变Si NMOSFET漏电流解析模型
周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 李妤晨
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
Analytical modeling for drain current of strained Si NMOSFET
Zhou Chun-Yu, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhuang Yi-Qi, Lü Yi, Wang Bin, Li Yu-Chen
Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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