热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2014, Vol. 63 Issue (4): 047501     doi:10.7498/aps.63.047501
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
徐大庆1, 张义门2, 娄永乐2, 童军1
1. 西安科技大学电气与控制工程学院, 西安 710054;
2. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Influences of post-heat treatment on microstructures, optical and magnetic properties of unintentionally doped GaN epilayers implanted with Mn ions
Xu Da-Qing1, Zhang Yi-Men2, Lou Yong-Le2, Tong Jun1
1. School of Electrical and Control Engineering, Xi'an University of Science and Technology, Xi'an 710054, China;
2. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn