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| 形成半导体量子线结构的质子注入方法研究 |
| 吴正云, 黄启圣 |
| 厦门大学物理系,厦门361005 |
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| Wu Zheng-Yun, Huang Qi-Sheng |
| 厦门大学物理系,厦门361005 |
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摘要： 用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.
关键词：
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Abstract：
Keywords：
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收稿日期: 1994-08-30
出版日期: 1995-09-20
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1995, Vol. 44 
