物理学报
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物理学报  2015, Vol. 64 Issue (6): 068101    DOI: 10.7498/aps.64.068101
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As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响
杨新荣1, 周晓静1, 王海飞1, 郝美兰1, 谷云高1, 赵尚武3, 徐波2, 王占国2
1. 邯郸学院物理与电气工程系, 邯郸 056005;
2. 中国科学院半导体研究所, 半导体材料重点实验室, 北京 100083;
3. 中国科学院电工研究所, 北京 100080
Effect of As pressure-modulated InAlAs superlattice on the morphology of InAs nanostructures grown on InAs/InAlAs/InP
Yang Xin-Rong1, Zhou Xiao-Jing1, Wang Hai-Fei1, Hao Mei-Lan1, Gu Yun-Gao1, Zhao Shang-Wu3, Xu Bo2, Wang Zhan-Guo2
1. Department of Physics and Electronic Engineering, Handan College, Handan 056005, China;
2. Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
3. Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China


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