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低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

邹崇文 孙 柏 王国栋 张文华 徐彭寿 潘海斌 徐法强 尹志军 邱 凯

低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

邹崇文, 孙 柏, 王国栋, 张文华, 徐彭寿, 潘海斌, 徐法强, 尹志军, 邱 凯
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-11-01
  • 修回日期:  2005-03-10
  • 刊出日期:  2005-04-05

低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; (2)中国科学院固体物理研究所,合肥 230031
    基金项目: 

    中国科学院知识创新工程资助的课题.

摘要: 利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高 度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长 .由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为14 eV. 通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱 的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带 态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.

English Abstract

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