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化学源金属诱导多晶硅研究

赵淑云 吴春亚 李 娟 刘建平 张晓丹 张丽珠 孟志国 熊绍珍

化学源金属诱导多晶硅研究

赵淑云, 吴春亚, 李 娟, 刘建平, 张晓丹, 张丽珠, 孟志国, 熊绍珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-06
  • 修回日期:  2005-06-23
  • 刊出日期:  2006-02-15

化学源金属诱导多晶硅研究

  • 1. 南开大学光电子器件与技术研究所,天津 300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071;教育部光电信息技术科学重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家十五“863”计划项目(批准号:2004AA303570)、国家自然科学重点基金(批准号:60437030)、教育部留学回国人员科研启动基金、天津市2002自然科学基金(批准号:023602011)和香港RGC资助的课题.

摘要: 以硝酸镍溶液为化学源,对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物,都能予以不同程度的晶化.用VHF-PECVD方法获得的非晶硅膜作前驱物,易于去氢并更容易晶化.当化学源浓度不同时,晶化效果会存在一定差别,在一定的范围内,溶液浓度越高,晶化后形成的晶粒越大.退火气氛对晶化结果产生某些影响,可以发现,在N2气氛下退火,比在大气下有更好的晶化效果.最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较,结果表明,对诱导金属源而言,化学源显示出更为有效的晶化趋势.

English Abstract

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