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利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积

苏元军 徐军 朱明 范鹏辉 董闯

利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积

苏元军, 徐军, 朱明, 范鹏辉, 董闯
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  • 本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300 ℃ 以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法. 利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征. 详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用, 并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法, 对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
    • 基金项目: 教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号: 707015)和辽宁省高等学校创新团队支持计划资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-01-11
  • 修回日期:  2011-06-17
  • 刊出日期:  2012-01-05

利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积

  • 1. 大连理工大学三束表面改性教育部重点实验室, 大连 116024;
  • 2. 日新电机-大连理工大学联合研发中心, 大连 116024
    基金项目: 

    教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号: 707015)和辽宁省高等学校创新团队支持计划资助的课题.

摘要: 本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300 ℃ 以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法. 利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征. 详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用, 并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法, 对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.

English Abstract

参考文献 (35)

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