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超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究

陈海峰 过立新

超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究

陈海峰, 过立新
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  • 本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压VG对栅致漏极泄漏 (GIDL)电流Id的影响,发现不同VG下ln (Id/(VDG-1.2))-1/(VDG-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象. 通过比较VG变化下ln(Id/(VDG-1.2))的差值,得出VG与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于VG的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致. 随着|VG|的变小,ln(Id/(VDG-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同VG对应的ln (Id/(VDG-1.2))曲线的斜率c及截距d与VG呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77. c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中VG对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入VG 影响的新GIDL电流关系式.
    • 基金项目: 西安应用材料创新基金(批准号: XA-AM-201012)和西安邮电学院青年教师科研基金(批准号: ZL2010-19)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-01-28
  • 修回日期:  2011-05-20
  • 刊出日期:  2012-01-05

超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究

  • 1. 西安邮电学院电子工程学院, 西安 710121
    基金项目: 

    西安应用材料创新基金(批准号: XA-AM-201012)和西安邮电学院青年教师科研基金(批准号: ZL2010-19)资助的课题.

摘要: 本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压VG对栅致漏极泄漏 (GIDL)电流Id的影响,发现不同VG下ln (Id/(VDG-1.2))-1/(VDG-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象. 通过比较VG变化下ln(Id/(VDG-1.2))的差值,得出VG与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于VG的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致. 随着|VG|的变小,ln(Id/(VDG-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同VG对应的ln (Id/(VDG-1.2))曲线的斜率c及截距d与VG呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77. c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中VG对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入VG 影响的新GIDL电流关系式.

English Abstract

参考文献 (17)

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