搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

周远明 俞国林 高矿红 林铁 郭少令 褚君浩 戴宁

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

周远明, 俞国林, 高矿红, 林铁, 郭少令, 褚君浩, 戴宁
PDF
导出引用
导出核心图
  • 研究了低温(15 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性. 研究表明,器件在零偏压下处于共振状态. 通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制. 所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号:2007CB924901)、上海市科学技术委员会基础研究重点项目 (批准号:07JC14059, 09JC1415700)和人事部留学回国人员科研基金资助的课题.
    [1]

    [1]Tsu R, Esaki L 1973 Appl. Phys. Lett. 22 562

    [2]

    [2]Kouwenhoven L P, Austing D G, Tarucha S 2001 Rep. Prog. Phys. 64 701

    [3]

    [3]Reimann S M, Manninen M 2002 Rev. Mod. Phys. 74 1283

    [4]

    [4]Hanson R, Kouwenhoven L P, Petta J R, Tarucha S, Vandersypen L M K 2007 Rev. Mod. Phys. 79 1217

    [5]

    [5]Ashoori R C 1996 Nature 379 413

    [6]

    [6]Austing D G, Honda T, Tarucha S 1996 Semicond. Sci. Technol. 11 388

    [7]

    [7]Tarucha S, Austing D G, Honda T, van der Hage R J, Kouwenhoven L P 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3613

    [8]

    [8]Kouwenhoven L P, Oosterkamp T H, Danoeastro M W S, Eto M, Austing D G, Honda T, Tarucha S 1997 Science 278 1788

    [9]

    [9]Sasaki S, De Franceschi S, Elzerman J M, van der Wiel W G, Eto M, Tarucha S, Kouwenhoven L P 2000 Nature 405 764

    [10]

    ]Ono K, Austing D G, Tokura Y, Tarucha S 2002 Science 297 1313

    [11]

    ]Weinmann D W, Husler W, Kramer B 1995 Phys. Rev. Lett. 74 984

    [12]

    ]Christanell R, Smoliner J 1988 Rev. Sci. Instrum. 59 8

    [13]

    ]Mendez E E, Esaki L, Wang W I 1986 Phys. Rev. B 33 2893

    [14]

    ]Leadbeater M L, Alves E S, Eaves L, Henini M, Hughes O H,Celeste A, Portal J C, Hill G, Pate M A 1989 Phys. Rev. B 39 3438

    [15]

    ]Goldman V J, Tsui D C, Cunningham J E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 1256

    [16]

    ]Zhou W Z, Yao W, Zhu B, Qiu Z J, Guo S L, Lin T, Cui L J, Gui Y S, Chu J H 2006 Acta Phys. Sin. 55 2044 (in Chinese) [周文政、姚炜、朱博、仇志军、郭少令、林铁、崔利杰、桂永胜、褚君浩 2006 物理学报 55 2044]

    [17]

    ]Zhou W Z, Lin T, Shang L Y, Huang Z M, Zhu B, Cui L J, Gao H L, Li D L, Guo S L, Gui Y S, Chu J H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4143 (in Chinese) [周文政、林铁、商丽燕、黄志明、朱博、崔利杰、高宏玲、李冬临、郭少令、桂永胜、褚君浩 2007 物理学报 56 4143]

    [18]

    ]Tagg W I E, White C R H, Skolnick M S, Eaves L, Emeny M T, Whitehouse C R 1993 Phys. Rev. B 48 4487

    [19]

    ]Yu G, Gupta J A, Aers G C, Austing D G 2005 Semicond. Sci. Tech. 20 430

    [20]

    ]Eaves L, Toombs G A, Sheard F W, Payling C A, Leadbeater M L, Alves E S, Foster T J, Simmonds P E, Henini M, Hughes O H, Portal J C, Hill G, Pate M A 1988 Appl. Phys. Lett. 52 212

    [21]

    ]Smet J H, Fonstad C G, Hu Q 1993 Appl. Phys. Lett. 63 2225

    [22]

    ]Jusserand B, Sapriel J 1981 Phys. Rev. B 24 7194

  • [1]

    [1]Tsu R, Esaki L 1973 Appl. Phys. Lett. 22 562

    [2]

    [2]Kouwenhoven L P, Austing D G, Tarucha S 2001 Rep. Prog. Phys. 64 701

    [3]

    [3]Reimann S M, Manninen M 2002 Rev. Mod. Phys. 74 1283

    [4]

    [4]Hanson R, Kouwenhoven L P, Petta J R, Tarucha S, Vandersypen L M K 2007 Rev. Mod. Phys. 79 1217

    [5]

    [5]Ashoori R C 1996 Nature 379 413

    [6]

    [6]Austing D G, Honda T, Tarucha S 1996 Semicond. Sci. Technol. 11 388

    [7]

    [7]Tarucha S, Austing D G, Honda T, van der Hage R J, Kouwenhoven L P 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3613

    [8]

    [8]Kouwenhoven L P, Oosterkamp T H, Danoeastro M W S, Eto M, Austing D G, Honda T, Tarucha S 1997 Science 278 1788

    [9]

    [9]Sasaki S, De Franceschi S, Elzerman J M, van der Wiel W G, Eto M, Tarucha S, Kouwenhoven L P 2000 Nature 405 764

    [10]

    ]Ono K, Austing D G, Tokura Y, Tarucha S 2002 Science 297 1313

    [11]

    ]Weinmann D W, Husler W, Kramer B 1995 Phys. Rev. Lett. 74 984

    [12]

    ]Christanell R, Smoliner J 1988 Rev. Sci. Instrum. 59 8

    [13]

    ]Mendez E E, Esaki L, Wang W I 1986 Phys. Rev. B 33 2893

    [14]

    ]Leadbeater M L, Alves E S, Eaves L, Henini M, Hughes O H,Celeste A, Portal J C, Hill G, Pate M A 1989 Phys. Rev. B 39 3438

    [15]

    ]Goldman V J, Tsui D C, Cunningham J E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 1256

    [16]

    ]Zhou W Z, Yao W, Zhu B, Qiu Z J, Guo S L, Lin T, Cui L J, Gui Y S, Chu J H 2006 Acta Phys. Sin. 55 2044 (in Chinese) [周文政、姚炜、朱博、仇志军、郭少令、林铁、崔利杰、桂永胜、褚君浩 2006 物理学报 55 2044]

    [17]

    ]Zhou W Z, Lin T, Shang L Y, Huang Z M, Zhu B, Cui L J, Gao H L, Li D L, Guo S L, Gui Y S, Chu J H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4143 (in Chinese) [周文政、林铁、商丽燕、黄志明、朱博、崔利杰、高宏玲、李冬临、郭少令、桂永胜、褚君浩 2007 物理学报 56 4143]

    [18]

    ]Tagg W I E, White C R H, Skolnick M S, Eaves L, Emeny M T, Whitehouse C R 1993 Phys. Rev. B 48 4487

    [19]

    ]Yu G, Gupta J A, Aers G C, Austing D G 2005 Semicond. Sci. Tech. 20 430

    [20]

    ]Eaves L, Toombs G A, Sheard F W, Payling C A, Leadbeater M L, Alves E S, Foster T J, Simmonds P E, Henini M, Hughes O H, Portal J C, Hill G, Pate M A 1988 Appl. Phys. Lett. 52 212

    [21]

    ]Smet J H, Fonstad C G, Hu Q 1993 Appl. Phys. Lett. 63 2225

    [22]

    ]Jusserand B, Sapriel J 1981 Phys. Rev. B 24 7194

  • [1] 梁九卿, 费宏明, 周飞, 杨毅彪. 光子晶体双量子阱的共振隧穿. 物理学报, 2011, 60(7): 074225. doi: 10.7498/aps.60.074225
    [2] 康永强, 高鹏, 刘红梅, 张淳民, 石云龙. 单负材料组成一维光子晶体双量子阱结构的共振模. 物理学报, 2015, 64(6): 064207. doi: 10.7498/aps.64.064207
    [3] 朱 林, 陈卫东, 谢征微, 李伯臧. NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻. 物理学报, 2006, 55(10): 5499-5505. doi: 10.7498/aps.55.5499
    [4] 李春雷, 徐燕, 张燕翔, 叶宝生. 双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿. 物理学报, 2013, 62(10): 107301. doi: 10.7498/aps.62.107301
    [5] 郭 永, 顾秉林, 川添良幸. 磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运. 物理学报, 2000, 49(9): 1814-1820. doi: 10.7498/aps.49.1814
    [6] 黄锐, 宋捷, 郭艳青, 王祥, 陈坤基, 李伟. a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构中的电荷隧穿和存储效应. 物理学报, 2011, 60(2): 027301. doi: 10.7498/aps.60.027301
    [7] 姜文龙, 孟昭晖, 丛林, 汪津, 王立忠, 韩强, 孟凡超, 高永慧. 双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应. 物理学报, 2010, 59(9): 6642-6646. doi: 10.7498/aps.59.6642
    [8] 曹辉, 赵清. 双势阱中冷原子的关联隧穿. 物理学报, 2010, 59(4): 2187-2192. doi: 10.7498/aps.59.2187
    [9] 曾绍龙, 李玲, 谢征微. 双自旋过滤隧道结中的隧穿时间. 物理学报, 2016, 65(22): 227302. doi: 10.7498/aps.65.227302
    [10] 黄建华, 段正路, 张卫平, 周兆英, 冯焱颖, 朱 荣, 唐 霖. 冷原子穿越激光束的量子隧穿时间. 物理学报, 2006, 55(12): 6606-6611. doi: 10.7498/aps.55.6606
    [11] 赵 峥, 张靖仪. 静质量不为零的粒子的量子隧穿辐射. 物理学报, 2006, 55(7): 3796-3798. doi: 10.7498/aps.55.3796
    [12] 周亮, 张靖仪. 带电带磁粒子的量子隧穿辐射. 物理学报, 2010, 59(6): 4380-4384. doi: 10.7498/aps.59.4380
    [13] 刘 明, 王子欧, 何宇亮, 江兴流. 通过纳米硅中量子点的共振隧穿. 物理学报, 1998, 47(4): 699-704. doi: 10.7498/aps.47.699
    [14] 王茂祥, 孙承休, 史晓春, 俞建华. 双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结中的电子共振隧穿与发光特性研究. 物理学报, 1999, 48(2): 326-331. doi: 10.7498/aps.48.326
    [15] 曹江伟, 王锐, 王颖, 白建民, 魏福林. 隧穿磁电阻效应磁场传感器中低频噪声的测量与研究. 物理学报, 2016, 65(5): 057501. doi: 10.7498/aps.65.057501
    [16] 金 华, 张立功, 郑著宏, 孔祥贵, 安立楠, 申德振. ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程. 物理学报, 2004, 53(9): 3211-3214. doi: 10.7498/aps.53.3211
    [17] 徐海磊, 陈一新, 沈建其. 双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程. 物理学报, 2003, 52(6): 1372-1378. doi: 10.7498/aps.52.1372
    [18] 周青春, 狄尊燕. 声子对隧穿量子点分子辐射场系统量子相位的影响. 物理学报, 2013, 62(13): 134206. doi: 10.7498/aps.62.134206
    [19] 张云波, 梁九卿, 聂一行, 蒲富格. 反铁磁粒子的势助量子隧穿和宏观量子效应. 物理学报, 1999, 48(5): 966-972. doi: 10.7498/aps.48.966
    [20] 黄芳, 李海彬. 双势阱中玻色-爱因斯坦凝聚的绝热隧穿. 物理学报, 2011, 60(2): 020303. doi: 10.7498/aps.60.020303
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3639
  • PDF下载量:  718
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-25
  • 修回日期:  2009-12-24
  • 刊出日期:  2010-06-15

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划 (批准号:2007CB924901)、上海市科学技术委员会基础研究重点项目 (批准号:07JC14059, 09JC1415700)和人事部留学回国人员科研基金资助的课题.

摘要: 研究了低温(15 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性. 研究表明,器件在零偏压下处于共振状态. 通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制. 所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.

English Abstract

参考文献 (22)

目录

    /

    返回文章
    返回