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弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

周远明 俞国林 高矿红 林铁 郭少令 褚君浩 戴宁

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

周远明, 俞国林, 高矿红, 林铁, 郭少令, 褚君浩, 戴宁
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  • 研究了低温(15 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性. 研究表明,器件在零偏压下处于共振状态. 通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制. 所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号:2007CB924901)、上海市科学技术委员会基础研究重点项目 (批准号:07JC14059, 09JC1415700)和人事部留学回国人员科研基金资助的课题.
    [1]

    [1]Tsu R, Esaki L 1973 Appl. Phys. Lett. 22 562

    [2]

    [2]Kouwenhoven L P, Austing D G, Tarucha S 2001 Rep. Prog. Phys. 64 701

    [3]

    [3]Reimann S M, Manninen M 2002 Rev. Mod. Phys. 74 1283

    [4]

    [4]Hanson R, Kouwenhoven L P, Petta J R, Tarucha S, Vandersypen L M K 2007 Rev. Mod. Phys. 79 1217

    [5]

    [5]Ashoori R C 1996 Nature 379 413

    [6]

    [6]Austing D G, Honda T, Tarucha S 1996 Semicond. Sci. Technol. 11 388

    [7]

    [7]Tarucha S, Austing D G, Honda T, van der Hage R J, Kouwenhoven L P 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3613

    [8]

    [8]Kouwenhoven L P, Oosterkamp T H, Danoeastro M W S, Eto M, Austing D G, Honda T, Tarucha S 1997 Science 278 1788

    [9]

    [9]Sasaki S, De Franceschi S, Elzerman J M, van der Wiel W G, Eto M, Tarucha S, Kouwenhoven L P 2000 Nature 405 764

    [10]

    ]Ono K, Austing D G, Tokura Y, Tarucha S 2002 Science 297 1313

    [11]

    ]Weinmann D W, Husler W, Kramer B 1995 Phys. Rev. Lett. 74 984

    [12]

    ]Christanell R, Smoliner J 1988 Rev. Sci. Instrum. 59 8

    [13]

    ]Mendez E E, Esaki L, Wang W I 1986 Phys. Rev. B 33 2893

    [14]

    ]Leadbeater M L, Alves E S, Eaves L, Henini M, Hughes O H,Celeste A, Portal J C, Hill G, Pate M A 1989 Phys. Rev. B 39 3438

    [15]

    ]Goldman V J, Tsui D C, Cunningham J E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 1256

    [16]

    ]Zhou W Z, Yao W, Zhu B, Qiu Z J, Guo S L, Lin T, Cui L J, Gui Y S, Chu J H 2006 Acta Phys. Sin. 55 2044 (in Chinese) [周文政、姚炜、朱博、仇志军、郭少令、林铁、崔利杰、桂永胜、褚君浩 2006 物理学报 55 2044]

    [17]

    ]Zhou W Z, Lin T, Shang L Y, Huang Z M, Zhu B, Cui L J, Gao H L, Li D L, Guo S L, Gui Y S, Chu J H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4143 (in Chinese) [周文政、林铁、商丽燕、黄志明、朱博、崔利杰、高宏玲、李冬临、郭少令、桂永胜、褚君浩 2007 物理学报 56 4143]

    [18]

    ]Tagg W I E, White C R H, Skolnick M S, Eaves L, Emeny M T, Whitehouse C R 1993 Phys. Rev. B 48 4487

    [19]

    ]Yu G, Gupta J A, Aers G C, Austing D G 2005 Semicond. Sci. Tech. 20 430

    [20]

    ]Eaves L, Toombs G A, Sheard F W, Payling C A, Leadbeater M L, Alves E S, Foster T J, Simmonds P E, Henini M, Hughes O H, Portal J C, Hill G, Pate M A 1988 Appl. Phys. Lett. 52 212

    [21]

    ]Smet J H, Fonstad C G, Hu Q 1993 Appl. Phys. Lett. 63 2225

    [22]

    ]Jusserand B, Sapriel J 1981 Phys. Rev. B 24 7194

  • [1]

    [1]Tsu R, Esaki L 1973 Appl. Phys. Lett. 22 562

    [2]

    [2]Kouwenhoven L P, Austing D G, Tarucha S 2001 Rep. Prog. Phys. 64 701

    [3]

    [3]Reimann S M, Manninen M 2002 Rev. Mod. Phys. 74 1283

    [4]

    [4]Hanson R, Kouwenhoven L P, Petta J R, Tarucha S, Vandersypen L M K 2007 Rev. Mod. Phys. 79 1217

    [5]

    [5]Ashoori R C 1996 Nature 379 413

    [6]

    [6]Austing D G, Honda T, Tarucha S 1996 Semicond. Sci. Technol. 11 388

    [7]

    [7]Tarucha S, Austing D G, Honda T, van der Hage R J, Kouwenhoven L P 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3613

    [8]

    [8]Kouwenhoven L P, Oosterkamp T H, Danoeastro M W S, Eto M, Austing D G, Honda T, Tarucha S 1997 Science 278 1788

    [9]

    [9]Sasaki S, De Franceschi S, Elzerman J M, van der Wiel W G, Eto M, Tarucha S, Kouwenhoven L P 2000 Nature 405 764

    [10]

    ]Ono K, Austing D G, Tokura Y, Tarucha S 2002 Science 297 1313

    [11]

    ]Weinmann D W, Husler W, Kramer B 1995 Phys. Rev. Lett. 74 984

    [12]

    ]Christanell R, Smoliner J 1988 Rev. Sci. Instrum. 59 8

    [13]

    ]Mendez E E, Esaki L, Wang W I 1986 Phys. Rev. B 33 2893

    [14]

    ]Leadbeater M L, Alves E S, Eaves L, Henini M, Hughes O H,Celeste A, Portal J C, Hill G, Pate M A 1989 Phys. Rev. B 39 3438

    [15]

    ]Goldman V J, Tsui D C, Cunningham J E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 1256

    [16]

    ]Zhou W Z, Yao W, Zhu B, Qiu Z J, Guo S L, Lin T, Cui L J, Gui Y S, Chu J H 2006 Acta Phys. Sin. 55 2044 (in Chinese) [周文政、姚炜、朱博、仇志军、郭少令、林铁、崔利杰、桂永胜、褚君浩 2006 物理学报 55 2044]

    [17]

    ]Zhou W Z, Lin T, Shang L Y, Huang Z M, Zhu B, Cui L J, Gao H L, Li D L, Guo S L, Gui Y S, Chu J H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4143 (in Chinese) [周文政、林铁、商丽燕、黄志明、朱博、崔利杰、高宏玲、李冬临、郭少令、桂永胜、褚君浩 2007 物理学报 56 4143]

    [18]

    ]Tagg W I E, White C R H, Skolnick M S, Eaves L, Emeny M T, Whitehouse C R 1993 Phys. Rev. B 48 4487

    [19]

    ]Yu G, Gupta J A, Aers G C, Austing D G 2005 Semicond. Sci. Tech. 20 430

    [20]

    ]Eaves L, Toombs G A, Sheard F W, Payling C A, Leadbeater M L, Alves E S, Foster T J, Simmonds P E, Henini M, Hughes O H, Portal J C, Hill G, Pate M A 1988 Appl. Phys. Lett. 52 212

    [21]

    ]Smet J H, Fonstad C G, Hu Q 1993 Appl. Phys. Lett. 63 2225

    [22]

    ]Jusserand B, Sapriel J 1981 Phys. Rev. B 24 7194

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-25
  • 修回日期:  2009-12-24
  • 刊出日期:  2010-03-05

弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划 (批准号:2007CB924901)、上海市科学技术委员会基础研究重点项目 (批准号:07JC14059, 09JC1415700)和人事部留学回国人员科研基金资助的课题.

摘要: 研究了低温(15 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性. 研究表明,器件在零偏压下处于共振状态. 通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制. 所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.

English Abstract

参考文献 (22)

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