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应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

杨 宇 王 茺 刘昭麟 陈平平 崔昊杨 夏长生 陆 卫

应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

杨 宇, 王 茺, 刘昭麟, 陈平平, 崔昊杨, 夏长生, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-25
  • 修回日期:  2007-03-05
  • 刊出日期:  2007-09-20

应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

  • 1. (1)云南大学工程技术研究院,昆明 650091; (2)云南大学工程技术研究院,昆明 650091;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2004CB619004),国家自然科学基金(批准号10234040和60567001)资助的课题.

摘要: 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到

English Abstract

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