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插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

肖 军 张 曙 杨 宇 王 茺 刘昭麟 李天信 陈平平 崔昊杨 陆 卫

插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

肖 军, 张 曙, 杨 宇, 王 茺, 刘昭麟, 李天信, 陈平平, 崔昊杨, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-12
  • 修回日期:  2007-07-09
  • 刊出日期:  2008-02-20

插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

  • 1. (1)云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心,昆明 650091; (2)云南大学工程技术研究院光电薄膜研究中心,昆明 650091;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2004CB619004)和国家自然科学基金(批准号:60567001)资助的课题.

摘要: 利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源.

English Abstract

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