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半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

施卫 屈光辉 王馨梅

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

施卫, 屈光辉, 王馨梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-22
  • 修回日期:  2008-07-07
  • 刊出日期:  2009-01-20

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

  • 1. 西安理工大学物理系,西安 710058
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026),国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406)和西安理工大学优秀博士论文基金资助的课题.

摘要: 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.

English Abstract

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