搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

电子回旋共振-射频双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的射频偏压效应

柯博 汪磊 倪添灵 丁芳 陈牧笛 周海洋 温晓辉 朱晓东

电子回旋共振-射频双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的射频偏压效应

柯博, 汪磊, 倪添灵, 丁芳, 陈牧笛, 周海洋, 温晓辉, 朱晓东
PDF
导出引用
  • 本文利用六甲基乙硅氧烷(HMDSO)和氧气(O2)为反应气体,利用微波电子回旋共振-射频双等离子体化学气相沉积法沉积氧化硅薄膜,并利用发射光谱对等离子体特性进行原位诊断.研究表明,RF偏压对氧化硅薄膜沉积速率和薄膜中的化学键结构产生有意义的影响.小的直流自偏压会略微提高沉积速率;但随着直流自偏压的增加,离子轰击效应及刻蚀作用加强,薄膜的沉积速率下降.在13.56 MHz和400 kHz两个不同射频频率条件下所沉积的薄膜中,O和Si的比例基本相同,均超过2∶1;但400 kHz射频偏压下薄膜中的碳成分比例比13.56 MHz条件下的要高得多.这可以归因为高的射频偏压的应用不仅可增强离子轰击效应,而且与体等离子体相互作用,使高活性的氧原子增多;而低频偏压的作用主要是增强离子轰击效应.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10635010)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2008CB717800)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4193
  • PDF下载量:  2910
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-05
  • 修回日期:  2009-06-05
  • 刊出日期:  2010-01-05

电子回旋共振-射频双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的射频偏压效应

  • 1. 中国科学技术大学近代物理系,中国科学院基础等离子体物理重点实验室,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10635010)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2008CB717800)资助的课题.

摘要: 本文利用六甲基乙硅氧烷(HMDSO)和氧气(O2)为反应气体,利用微波电子回旋共振-射频双等离子体化学气相沉积法沉积氧化硅薄膜,并利用发射光谱对等离子体特性进行原位诊断.研究表明,RF偏压对氧化硅薄膜沉积速率和薄膜中的化学键结构产生有意义的影响.小的直流自偏压会略微提高沉积速率;但随着直流自偏压的增加,离子轰击效应及刻蚀作用加强,薄膜的沉积速率下降.在13.56 MHz和400 kHz两个不同射频频率条件下所沉积的薄膜中,O和Si的比例基本相同,均超过2∶1;但400 kHz射频偏压下薄膜中的碳成分比例比13.56 MHz条件下的要高得多.这可以归因为高的射频偏压的应用不仅可增强离子轰击效应,而且与体等离子体相互作用,使高活性的氧原子增多;而低频偏压的作用主要是增强离子轰击效应.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回