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AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

汪莱 王磊 任凡 赵维 王嘉星 胡健楠 张辰 郝智彪 罗毅

AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

汪莱, 王磊, 任凡, 赵维, 王嘉星, 胡健楠, 张辰, 郝智彪, 罗毅
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  • 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900—1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高全宽200—30
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60723002,50706022,60977022),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800, 2006CB921106),国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z429, 2008AA03A194), 北京市自然科学基金重点项目(批准号:4091001),深圳市产学研和公共科技专项资助项目(批准号:08CXY-14)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-04
  • 修回日期:  2010-03-16
  • 刊出日期:  2010-11-15

AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

  • 1. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60723002,50706022,60977022),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800, 2006CB921106),国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z429, 2008AA03A194), 北京市自然科学基金重点项目(批准号:4091001),深圳市产学研和公共科技专项资助项目(批准号:08CXY-14)资助的课题.

摘要: 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900—1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高全宽200—30

English Abstract

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