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紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO2薄膜的研究

张治国

紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO2薄膜的研究

张治国
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-04
  • 修回日期:  2010-03-03
  • 刊出日期:  2010-11-15

紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO2薄膜的研究

  • 1. 泉州师范学院功能材料研究所,泉州 362000
    基金项目: 

    福建省教育厅A类科技项目(批准号:JA08210)资助的课题.

摘要: 采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析, 给出了各种元素在膜中的分布情况;测量了薄膜的透过率,结果显示个别样品对紫外线有较高透过率,退火过程对透过率有影响.测量了电阻率与温度的关系,同时解释了样品的阻-温特性.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了讨论,给出了用透过率曲线确定光学带隙的简易方法.讨论了扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系.结果显示,用铜、铟掺杂的氧化锡透明导电

English Abstract

参考文献 (12)

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