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梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究

王晓晖 常本康 钱芸生 高频 张益军 郭向阳 杜晓晴

梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究

王晓晖, 常本康, 钱芸生, 高频, 张益军, 郭向阳, 杜晓晴
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-25
  • 修回日期:  2010-07-28
  • 刊出日期:  2011-02-05

梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60871012,60701013)资助的课题.

摘要: 为了提高负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率,利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)外延生长了梯度掺杂反射式GaN光电阴极,其掺杂浓度由体内到表面依次为1×1018 cm-3,4×1017 cm-3,2×1017 cm-3和6×1016 cm-3,每个掺杂浓度区域的厚度约为45 nm,总的厚度为180 nm.在超高真

English Abstract

参考文献 (13)

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