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低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性

李喜峰 信恩龙 石继锋 陈龙龙 李春亚 张建华

低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性

李喜峰, 信恩龙, 石继锋, 陈龙龙, 李春亚, 张建华
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  • 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO), 在相对低的温度(-2·V-1·s-1, 开关比大于107, 亚阈值摆幅 SS为0.4 V/dec, 阈值电压为3.6 V. 栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象. 白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响, 表明制备的器件可用于透明显示器件. 研究了器件的光照稳定性, 光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V, 这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61006005)和上海科学技术委员会重大攻关项目(批准号: 10dz1100102)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-04
  • 修回日期:  2012-12-26
  • 刊出日期:  2013-05-20

低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性

  • 1. 上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61006005)和上海科学技术委员会重大攻关项目(批准号: 10dz1100102)资助的课题.

摘要: 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO), 在相对低的温度(-2·V-1·s-1, 开关比大于107, 亚阈值摆幅 SS为0.4 V/dec, 阈值电压为3.6 V. 栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象. 白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响, 表明制备的器件可用于透明显示器件. 研究了器件的光照稳定性, 光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V, 这种漂移是由于界面电荷束缚所致.

English Abstract

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