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ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

赵小龙 康雪 陈亮 张忠兵 刘金良 欧阳晓平 彭文博 贺永宁

ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

赵小龙, 康雪, 陈亮, 张忠兵, 刘金良, 欧阳晓平, 彭文博, 贺永宁
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  • 本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性. 薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12 μupC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17 μC/Gy. 器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度. 本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60876038,11375144)和“ZnO半导体纳米结构核辐射探测机理研究”,西安交通大学基本科研业务费学科综合交叉科研项目资助的课题.
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    Shen D Z, Mei Z X, Liang H L, Du X L, Ye J D, Gu S L, Wu Y X, Xu C X, Zhu G Y, Dai J, Chen M M, Ji X, Tang Z K, Shan C X, Zhang B L, Du G T, Zhang Z Z 2014 Acta Optica Sinica 35 1 (in Chinese) [申德振, 梅增霞, 梁会力, 杜小龙, 叶建东, 顾书林, 吴玉喜, 徐春祥, 朱刚毅, 戴俊, 陈明明, 季旭, 汤子康, 单崇新, 张宝林, 杜国同, 张振中 2014 发光学报 35 1]

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-15
  • 修回日期:  2014-01-17
  • 刊出日期:  2014-05-05

ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

  • 1. 西安交通大学, 电子与信息工程学院, 西安 710049;
  • 2. 西北核技术研究所, 辐射探测科学研究中心, 西安 710024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60876038,11375144)和“ZnO半导体纳米结构核辐射探测机理研究”,西安交通大学基本科研业务费学科综合交叉科研项目资助的课题.

摘要: 本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性. 薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12 μupC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17 μC/Gy. 器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度. 本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.

English Abstract

参考文献 (17)

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