搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SiO2固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响

郭文昊 肖惠 门传玲

SiO2固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响

郭文昊, 肖惠, 门传玲
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  854
  • PDF下载量:  358
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-18
  • 修回日期:  2014-11-16
  • 刊出日期:  2015-04-05

SiO2固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响

  • 1. 上海理工大学能源与动力工程学院, 上海 200093;
  • 2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11474293)、浙江省自然科学基金(批准号: LY14A040009)、 宁波市自然科学基金(批准号: 2014A610145)、上海理工大学国家项目(批准号: 14XPM06)和上海市自然科学基金(批准号: 13ZR1428200) 资助的课题.

摘要: 本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在室温条件下制备了具有双电层效应的二氧化硅(SiO2) 固体电解质薄膜, 并以此SiO2薄膜作为栅介质制备了氧化铟锌(IZO)双电层薄膜晶体管. 本文系统地研究了SiO2固体电解质中的质子特性对双电层薄膜晶体管性能的影响, 研究结果表明, 经过纯水浸泡的SiO2固体电解质薄膜可以诱导出较多的可迁移质子, 因此表现出较大的双电层电容. 由于SiO2固体电解质薄膜具有质子迁移特性, 晶体管的转移特性曲线呈现出逆时针方向的洄滞现象, 并且这一洄滞效应随着栅极电压扫描速率的增加而增大. 进一步对薄膜晶体管的偏压稳定性进行测试, 发现晶体管的阈值电压的变化遵循了拉升指数函数(stretched exponential function)关系.

English Abstract

参考文献 (17)

目录

    /

    返回文章
    返回