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由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn2O4透明导电薄膜光带隙的影响

伞海生 李 斌 冯博学 何毓阳 陈 冲

由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn2O4透明导电薄膜光带隙的影响

伞海生, 李 斌, 冯博学, 何毓阳, 陈 冲
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-31
  • 修回日期:  2004-05-25
  • 刊出日期:  2005-01-05

由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn2O4透明导电薄膜光带隙的影响

  • 1. (1)兰州大学教育部磁学与磁性材料重点实验室,兰州 730000; (2)中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69876018)资助的课题.

摘要: 在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射CdIn靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底 温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现, 随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋势,而吸收边呈现先是“蓝移”然后“红移”的 现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响,这些影响主 要体现在带尾的形成,BursteinMoss(BM)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对 薄膜的迁移率有重要影响.对于CIO薄膜,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重 要影响并将直接影响到薄膜的光透性.由于存在吸收带尾,利用传统的“外推法”获得薄膜 的光带隙并不适合简并半导体,而应使用更为准确的“拟合法”.

English Abstract

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