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碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究

孙立忠 陈效双 周孝好 孙沿林 全知觉 陆 卫

碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究

孙立忠, 陈效双, 周孝好, 孙沿林, 全知觉, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-15
  • 修回日期:  2004-10-11
  • 刊出日期:  2005-04-19

碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    中国科学院“百人计划”(批准号:200112)、国家自然科学基金重点项目(批准号:10234040,60476040,60221502)、上海市科学技术委员会重点基金(批准号:02DJ14066)、上海市信息化专项资金(批准号:2003F012)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB6104 07)资助的课题.

摘要: 利用基于第一性原理的全电子势线性缀加平面波方法计算了在碲镉汞材料中Hg空位所引起的晶格弛豫以及空位对周围原子成键机制的影响.通过成键过程中电荷密度的变化以及电荷转移的讨论,论述了碲镉汞材料Hg空位引起的弛豫以及这种弛豫产生的主要原因.通过态密度的计算和分析,发现Hg空位的形成将导致第一近邻阴离子Te的5s态能量向高能端移动了055eV,并借助Te 5s态电荷密度与成键电荷密度的计算结果,分析了引起该能态能量平移的主要原因.通过带边态密度变化以及Kohn-Sham(KS)单电子能级的计算和分析,得出了Hg

English Abstract

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