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快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

李养贤 杨 帅 陈贵峰 马巧云 牛萍娟 王宝义 陈东风 李洪涛

快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

李养贤, 杨 帅, 陈贵峰, 马巧云, 牛萍娟, 王宝义, 陈东风, 李洪涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-03
  • 修回日期:  2005-02-05
  • 刊出日期:  2005-04-19

快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

  • 1. (1)河北工业大学材料学院,天津 300130; (2)天津工业大学信息与通信学院,天津 300160; (3)中国科学院高能物理研究所,北京 100049; (4)中国原子能科学研究院,北京 102413
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:50032010,50472034)和河北省自然科学基金(批准号:601017 ,E2005000048)资助的课题.

摘要: 通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照 缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品 的导电类型由n型转变为p型.在450和600℃热处理出现两种受主中心,分别由V22O22,V22O,VO22,V-O-V及V44型缺 陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态 缺陷迅速消失,

English Abstract

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