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强流脉冲电子束辐照诱发金属纯镍中的空位簇缺陷

关庆丰 荆洪阳 邹慧 王志平

强流脉冲电子束辐照诱发金属纯镍中的空位簇缺陷

关庆丰, 荆洪阳, 邹慧, 王志平
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-08
  • 修回日期:  2010-03-12
  • 刊出日期:  2010-09-15

强流脉冲电子束辐照诱发金属纯镍中的空位簇缺陷

  • 1. (1)江苏大学材料科学与工程学院,镇江 212013; (2)天津大学材料科学与工程学院,天津 300072; (3)天津大学材料科学与工程学院,天津 300072;中国民航大学理学院,天津 300300; (4)中国民航大学理学院,天津 300300
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50671042)和江苏大学基金(批准号:07JDG032)资助的课题.

摘要: 利用强流脉冲电子束(high-current pulsed electron beam,HCPEB)技术对多晶纯Ni进行了辐照处理,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的缺陷结构.HCPEB辐照后,纯镍表层积聚了幅值极大的残余应力,沿{111}晶面形成了稠密的位错墙及孪晶结构,另外还形成了大量的包括位错圈、堆垛层错四面体(SFT)及孔洞在内的空位簇缺陷.SFT缺陷的数量远高于其他空位簇缺陷,其周围区域位错密度很低.孔洞缺陷主要出现在SFT密集区域.HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变

English Abstract

参考文献 (20)

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