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InAs/GaAs量子点的静压光谱压力系数研究

汤乃云 陈效双 陆 卫

InAs/GaAs量子点的静压光谱压力系数研究

汤乃云, 陈效双, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-09-10
  • 修回日期:  2004-10-15
  • 刊出日期:  2005-05-10

InAs/GaAs量子点的静压光谱压力系数研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金创新群体

    国家自然科学重点基金(批准号:10234040)

    上海市科学技术 委员会重点项目(批准号:02DJ14066)

    上海市信息化专项资金项目(批准号:2003010)和国 家重点基础研究资助项目(批准号:2001CB6104)资助的课题.

摘要: 采用有效质量模型和非线性弹性理论计算了不同尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱发光峰的 压力系数(PC).量子点峰位随压力的变化主要来自禁带宽度和电子束缚能随压力变化两方面 的贡献.由于InAs/GaAs量子点是一个应变体系,体系的晶格常数,失配应变和弹性系数均随 外加压力变化,使得加压后量子点的禁带宽度相对于非应变体系略有减小,同时势垒高度增 加,电子束缚程度增加.两者共同作用引起的InAs应变层的禁带宽度压力系数减小是导致量 子点的压力系数小于InAs体材料的主要原因.同时计算结果表明,电子束缚能随压力变化对 不同尺寸量子点的压力系数的影响不同,量子点尺寸越小,受其影响越大,压力系数也越大 .

English Abstract

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