搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

范正修 邵建达 邵淑英

ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

范正修, 邵建达, 邵淑英
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3131
  • PDF下载量:  1189
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-13
  • 修回日期:  2004-12-24
  • 刊出日期:  2005-07-07

ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

  • 1. (1)中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海 201800; (2)中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100864

摘要: ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成, 通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积 在熔石英和BK7玻璃 基底上多层膜中残余应力的变化. 用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化, 并确定了薄膜中的残余应力. 结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚 组合周期数的增加,压应力值逐渐减小. 而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的 压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值. 用x射线衍射技术测量分析了膜 厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增 加,多层膜的结晶程 度增强. 同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层 膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回