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非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池

孔光临 曾湘波 许 颖 刁宏伟 廖显伯 郝会颖

非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池

孔光临, 曾湘波, 许 颖, 刁宏伟, 廖显伯, 郝会颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-11-16
  • 修回日期:  2004-12-09
  • 刊出日期:  2005-07-07

非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 1000 83; (2)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 1000 83;中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区 域的硅薄膜. 样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜 兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p- i-n太阳能电池,并测量了其稳定性. 结果在AM15(100mW/cm2) 的光强下曝光 800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了29%.

English Abstract

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