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铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

张文杰 易万兵 吴 瑾

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

张文杰, 易万兵, 吴 瑾
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  • 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-06
  • 修回日期:  2006-03-22
  • 刊出日期:  2006-05-05

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

  • 1. (1)上海宏力半导体制造有限公司,上海 201203; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海 201203

摘要: 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.

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