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基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用

邸玉贤 计欣华 胡 明 秦玉文 陈金龙

基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用

邸玉贤, 计欣华, 胡 明, 秦玉文, 陈金龙
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  • 通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力,并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响,结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高,多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大,由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10472080)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-23
  • 修回日期:  2005-12-15
  • 刊出日期:  2006-05-05

基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用

  • 1. (1)天津大学电信学院电子科学与技术系,天津 300072; (2)天津大学机械工程学院力学系,天津 300072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10472080)资助的课题.

摘要: 通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力,并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响,结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高,多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大,由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.

English Abstract

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