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退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响

邵建达 沈 健 易 葵 范正修 尚淑珍

退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响

邵建达, 沈 健, 易 葵, 范正修, 尚淑珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-07
  • 修回日期:  2005-10-14
  • 刊出日期:  2006-05-20

退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响

  • 1. (1)中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术与研究发展中心,上海 201800; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术与研究发展中心,上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    上海市科委光科技专项行动计划项目(批准号:022261051)资助的课题.

摘要: 设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250—400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上.

English Abstract

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