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一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

龚 敏 李 潇 刘 亮 张海英 尹军舰 李海鸥 叶甜春

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

龚 敏, 李 潇, 刘 亮, 张海英, 尹军舰, 李海鸥, 叶甜春
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-19
  • 修回日期:  2006-02-17
  • 刊出日期:  2006-07-20

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

  • 1. (1)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064; (2)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064;中国科学院微电子研究所,北京 100029; (3)中国科学院微电子研究所,北京 100029
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276021)和国家重点基础研究规划资助项目(批准号:G2002CB311901)资助的课题.

摘要: 针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道

English Abstract

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